应学院邀请，英国牛津大学皇家学会学者李国强博士于2009年4月9日早上在我院学术会议室作了题为“Growth and nanostructures of Ⅱ-Ⅵ and Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors for optoelectroic applications”的专题报告。报告会由副院长刘开平教授主持，我院相关专业教师和研究生聆听了报告会。

本次报告是李国强博士相继在国内外从事半导体材料生长及分析技术十年以来的一个工作总结。报告讲述了室温下最有发展前景的辐射探测器材料CdZnTe 单晶体的制备方法、晶体中缺陷的纳米结构以及用脉冲激光沉积（PLD）法制备发光材料GaN膜的相关技术、结构和性能分析、界面原子结构模拟等。此外，还和大家分享了自己在熟练操作（高分辨）透射电镜（（HR）TEM）、X射线能谱(EDS)、X射线光电子谱(XPS)、原子力显微镜(AFM) 、背散射电子衍射(EBSD)和聚焦电子束衍射（CBED）等实验设备时的一些心得。会后，李国强博士与师生们进行了热烈的讨论和交流，回答了老师和同学们提出的问题。

李国强博士是全国优秀博士论文获得者，长期从事化合物半导体材料制备、缺陷控制及LED、LD、太阳能电池等器件研究。近5年被SCI检索收录论文33篇，EI检索收录35篇，获国际/省部级科技奖5项，批准专利2项。目前是英国牛津大学皇家学会学者，美国MRS、ACS、IEEE，英国IoP、RMS，日本JSAP 及JEMS 会员，担任旅英中国材料协会秘书长、国际学术期刊OEEE 编委、牛津中国学联执委等职务。